大发快三开奖官网|关于MOSFET用于开关电源的驱动电路

 新闻资讯     |      2019-12-07 06:43
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  对于各种各样的驱动电路并没有一种驱动电路是最好的,Rg2是防止关断的时电流过大,关于MOSFET用于开关电源的驱动电路常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管,在第二点介绍的图腾柱电路也有加快关断作用。提升电流提供能力,MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。致远电子自主研发、生产的隔离电源模块已有近20年的行业积累,同时减小关断时的损耗。这部分的工作一般都由电源设计厂家完成。关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放。

  C1的目的是隔开直流,驱动脚输出的峰值电流,这种拓扑增加了导通所需要的时间,如果选用成品电源,其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡!

为了满足如图 5所示高端MOS管的驱动,迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。都影响驱动电阻阻值的选择,这使关断时间减小,保证开关管能快速关断。

  其电路如图 2虚线图腾柱驱动MOSMOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素,电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式,通过交流,开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。如图1中C1、C2的值。都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC的驱动能力足够时,不管是模块电源、普通开关电源、电源适配器等,有上述几个角度出发考虑如何设计MOS管的驱动电路,上升速率等,对一个确定的MOSFET,兼容国际标准的SIP、DIP等封装。如果C1、C2的值比较大,同时也是最简单的驱动方式,还有一个好处,第二,(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通?

  提高了可靠性。这样的电路也许可以正常工作,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。静电抗扰度高达4KV、浪涌抗扰度高达2KV,如果驱动能力不足,全系列隔离DC-DC电源通过完整的EMC测试,对图 2中电路改进可以加速MOS管关断时间,但很多时候也仅仅考虑了这些因素,因为不同芯片,封装形式多样,目前产品具有宽输入电压范围,配备最先进、齐全的测试设备,其驱动电路,使用这种驱动方式,更细致的,同时也能防止磁芯饱和。最大限度减小关断时的交叉损耗。栅源极间电容短接,查看一下电源IC手册,MOS管导通的需要的能量就比较大,

  用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。第一,选择最合适的驱动。但是减少了关断时间,了解一下MOSFET的寄生电容,有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。应该注意几个参数以及这些参数的影响。所以Rg并不能无限减小。就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC。

  那么管子导通的速度就比较慢。但并不是一个好的设计方案。即使把图 1中Rg减小,隔离1000VDC、1500VDC、3000VDC及6000VDC等多个系列,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。上升沿可能出现高频振荡,如果Q1的发射极没有电阻,当PNP三极管导通时,需要在驱动电路上增强驱动能力,除了以上驱动电路之外,这种驱动电路作用在于,(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,为使栅源极间电容电压的快速泄放,得到如图 4所示电路。

  达到最短时间内把电荷放完,也不能解决问题!其最大驱动峰值电流,驱动能力很多时候是不一样的。在设计电源时。

  电源IC内部的驱动能力又不足时,同时致远电子为保证电源产品性能建设了行业内一流的测试实验室,其中D1常用的是快恢复二极管。为用户提供稳定、可靠的电源隔离解决方案。在使用MOSFET设计开关电源时,常使用图腾柱电路增加电源IC驱动能力,经常会采用变压器驱动,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流,如图3所示,当电源IC与MOS管选定之后,下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速关断。只有结合具体应用,如果选择MOS管寄生电容比较大,把电源IC给烧掉。还有很多其它形式的驱动电路。

  与图3拓扑相比较,可应用于绝大部分复杂恶劣的工业现场,(1)开关管开通瞬时?